■中科院院士、微电子器件专家黄如
线宽缩小不再是集成电路发展的唯一技术路线
集成电路技术的核心内容是提升单位成本硬件系统的信息处理、存储与传输能力，并降低单位体积上的能耗。
“过去几十年，集成电路技术在基础理论的支撑下不断突破技术瓶颈，拓展应用边界，推动集成电路产业高速发展，每隔18个月将单一芯片上集成的晶体管数目提升一倍，电路单元面积缩小一半。”黄如表示，在上述迭代规律下，大规模集成电路的性能每隔一代提升约15%，功耗降低约40%，成本则降低35%左右。
黄如
黄如介绍，随着集成电路技术的不断发展，特征尺寸、集成度、性能、功耗、成本等摩尔定律特征从22纳米节点不再统一提升或缩减，研发成本从22纳米节点以后显著上升，集成电路技术的发展进入后摩尔时代。
黄如表示，近十年来在器件结构、材料工程、集成工艺、设计方法等方面涌现了诸多前沿创新，面向不同应用需求实现不同的集成度、能效比、性能等的折中优化，呈现出“百花齐放”态势，支撑快速发展的多样化信息应用需求。
“从22纳米FinFET技术（代工厂的16纳米技术）开始，尽管与经典的等比例缩小路线有所偏离，近十年来集成电路技术依然高速发展，在器件、材料、工艺等领域频繁的技术迭代推动下，先进逻辑制造技术进入了5纳米量产阶段，2纳米技术正在研发，1纳米技术研发开始部署。”黄如介绍，先进的10纳米级DRAM存储器和128层V-NAND闪存技术也进入了市场。
“集成电路技术正进入重要的历史转折期，新原理、新结构器件结合新材料、新工艺技术、新设计方法风起云涌，学科交叉更强调深度和广度的推进。”黄如指出，在先进制造技术的基础上，发展三维集成技术、系统级协同优化技术，实现不同功耗约束下的多样化系统集成，后摩尔时代集成电路技术发展呈现典型的“N分天下”新态势，“经典摩尔定律与等效缩比等超摩尔新定律并存互促，为集成电路发展开辟了更多的道路”。